三星电子 MX 部门 8 月向 DS 部门表达了对面向Galaxy S25 系列手机的 1b nm LPDDR 内存三星电子于 2023 年 5 月启动 1b nm 工艺 16Gb DDR5 内存量产，后又在当年 9 月发布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在内部推进 1b nm LPDDR 移动内存产品的开发工作。

　　然而该韩媒此前就在今年 6 月 11 日宣称，三星电子的 1b nm DRAM 内存产品当时良率不足五成。

　　韩媒今日报道指出，三星电子 DS 部门本应在 8 月之前就向 MX 部门供应一定规模的 12Gb、16Gb 容量 1b nm LPDDR 内存样品，用于 Galaxy S25 系列手机开发。但 知情人士透露，三星电子的 1b nm LPDDR 良率不及预期，影响了企业内部的供货时间表，根据 DRAM 产业一般规律，要想实现稳定且经济的大规模生产与供应，内存良率至少需要达到 80%。目前看来三星电子的 1b nm LPDDR