分析机构 TrendForce 集邦咨询表示，三大 HBM 内存巨头在对堆叠高度限制、I/O 密度、散热等要求的考量下，已确定于 HBM5 20hi世代使用混合键合 Hybrid Bonding 技术。

　　该机构认为，在 HBM4、HBM4e 两代产品上 SK 海力士、三星电子、美光三家企业均会推出 12hi、16hi 版本以满足对不同容量的需求，其中 12hi 产品将继续使用现有的微凸块键合技术，此外

　　▲ 机构表示，无凸块的混合键合技术可容纳较多堆叠层数，也能容纳较厚的晶粒厚度，以改善翘曲问题，能提升芯片传输速度，散热表现也更为优异，但还需克服微粒控制等技术问题。

　　在 HBM4混合键合需以 WoW模式堆叠，不仅对前端生产良率提出了更高要求，也意味着而 HBM 内存的 Base Die 正走向外部化、定制化，台积电等