报道称，报道还提到，三星和 SK 海力士据说正在与长江存储协商一项专利协议。

　　注：长江存储已率先在闪存中使用了报道称，大约四年前，长江存储在该领域建立了强大的专利组合。而三星之前在 NAND 生产中使用了 COP技术，其中外围电路放置在一个晶圆上，而单元堆叠在其上方。然而，随着层数超过 400 层，知情人士表示，美国 Xperi、长江存储和台积电拥有大多数混合键合专利。三星认为在下一代 NAND 如 V10、V11 和 V12 中