国产芯片欲弯道超车:曝长江存储跳过192层闪存 直接切入232层
称,业内人士给出消息称,长江存储计划跳过192层,直接切入232层闪存生产。
这是什么概念?
根据此前韩国研究机构OERI的一份报告,其表示中韩闪存技术差距目前已经缩短至两年,理由是三星和SK海力士明年初会量产超200层闪存,长江存储则要到2024年,现在来看,它们低估了长江存储的技术储备。
另外,此前传出长江存储有望打入苹果供应链,为iPhone等产品供货闪存的说法,倘若最终实现,那么无疑将有着打破产业格局的动能。
称,业内人士给出消息称,长江存储计划跳过192层,直接切入232层闪存生产。
这是什么概念?
根据此前韩国研究机构OERI的一份报告,其表示中韩闪存技术差距目前已经缩短至两年,理由是三星和SK海力士明年初会量产超200层闪存,长江存储则要到2024年,现在来看,它们低估了长江存储的技术储备。
另外,此前传出长江存储有望打入苹果供应链,为iPhone等产品供货闪存的说法,倘若最终实现,那么无疑将有着打破产业格局的动能。