日本信越化学当地时间本月 3 日宣布成功开发出用于氮化镓 GaN 外延生长的 300mm的 QST 衬底，并已从近期开始向客户供应相关样品。

　　相较于以 12 英寸晶圆为主流的硅半导体，信越化学的 QST 衬底技术源自美国企业 Qromis 的专利授权，这一复合材料信越化学此前已推出 6 英寸和 8 英寸的 QST 衬底，此次 12 英寸款开发成功有助于提升氮化镓生产规模、降低远期产线持续运行成本，从而推低氮化镓产品的价格、加速氮化镓器件的普及。