三星将为此与长江存储建立合作关系。

　　三星之前在 NAND 生产上使用的是 COP方法，其中外围电路被放置在一个晶圆上，并且单元堆叠在顶部。然而，随着层数的增加，下层外围的压力会影响可靠性。

　　除晶圆键合技术外，三星还展示了为下一代 NAND 的大批量量产而准备的低温蚀刻和钼沉积等创新技术。

　　低温蚀刻预计将用于 400 层或以上的 NAND 通孔，目前东京电子与 Lam Research 正在开发相关设备。

　　低温蚀刻设备最大的特点是能够在极低的温度下保持高速蚀刻，从而减少 NAND 蚀刻期间的堆叠问题。对此，三星电子和SK 海力士分别压铸于TEL 设备和Lam Research 设备。

　　三星还准备为字线材料引入钼元素，以此取代钨和氮化钛材料，从而大幅降低晶体管的“电阻率”。

　　业内人士表示：“通过钨可以减少的层高已经达到极限。如果使用钼则可以进一步减少 30% 至 40%。目前，TEL 和 Lam 同样也在这一领域进行竞争，而 Lam 公司已经向三星电子提供了多台钼沉积设备。

　　材料业界人士表示:“随着新技术的应用，继设备市场之后，材料市场也将经历一场大动荡。从新一代 NAND 闪存开始，不仅是前驱体，蚀刻液剂、动力气体等也将迎来大量变革。”