三星电子公司副总裁、系统封装实验室领导 Kim Dae-Woo 今日在一场产业研讨会上表示，现有的热压缩键合 技术无法满足未来 20 层HBM 内存堆栈的生产需求。

　　▲ Kim Dae-Woo

　　负责连接各层 DRAM Die 的键合工艺在 HBM 的制造中起到举足轻重的作用，传统 TCB 包含凸块结构，这影响了进一步的间距压缩同时拥有更高热阻。根据三星电子给出的数据，

　　▲ 三星电子 HBM 键合技术转型规划三星电子