市场研究机构 TechInsights 本周二发布的报告显示，在 2024 年全球前 20 大半导体企业中，英特尔仍是最大研发支出企业，三星电子研发支出增幅最大。

　　数据显示，三星去年研发投入达 95 亿美元，较 2023 年的 55 亿美元增长 71.3%，排名从第七位升至第三位。

　　英特尔 2024 年投入 165.5 亿美元，但同比增幅仅为 3.1%，远低于同行。英伟达则以 125 亿美元位列第二，同比增长 47%。

　　台积电以 63.6 亿美元排名第七，同比增长 8.8%。SK 海力士连续第二年位列第十，研发支出 33.3 亿美元，同比增长 32.7%。

　　其中，英特尔作为唯一一家在美国本土同时进行芯片设计和制造的企业，目前重点投入在于提升其 18A 工艺的良率，但该公司去年仍录得 188 亿美元亏损。

　　整体来看，2024 年全球前 20 大半导体企业合计研发投入 986.8 亿美元，同比增长 17%，约占行业总研发支出的 96%。其中 15 家企业增加了投入，5 家则有所削减。

　　从研发投入与营收占比来看，美国企业排名靠前，英特尔、博通、高通和 AMD 位居前列。前 20 家企业的平均比例为 15.8%。其中，三星为 11.7%，SK 海力士为 6.99%，为该组最低。其中 SK 海力士研发投入增长逾 32%，但由于营收几乎翻倍，故研发投入占比反而有所下降。

　　TechInsights 预计，英伟达可能在明年超过英特尔，成为全球研发支出最高的半导体企业。英特尔去年将 33.6% 的营收投入研发，但其新任 CEO 陈立武已开始削减开支。相比之下，英伟达将 1156.2 亿美元营收中的 10.8% 用于研发，并已连续四年大幅增加投资。

　　路透社上个月还报道称，相对于英特尔的巨额投入，其 18A 工艺目前仍存在良率偏低的风险。

　　根据 X 用户 @Kurnalsalts 分享的数据，Intel 18A 工艺的逻辑晶体管密度仅 184.21MTr / mm2，是同行之中最低的。此前 TechInsights 分析的数据却显示，在高密度逻辑单元晶体管密度方面，台积电 2nm 为 313 MTr / mm2、Intel 18A 为 238 MTr / mm2，三星 2nm 则为 231 MTr / mm2。