三星电子当地时间昨日下午对其第六代 10nm 级 DRAM 内存工艺 1c 纳米授予生产准备批准 。这标志着三星完成 1c nm 内存开发，准备向量产转移。

　　三星电子的 HBM4 12Hi 内存将使用 1c nm DRAM Die，可以说该内存工艺的表现而在三星电子之前，SK 海力士和美光也都完成了第六代 20~10nm 制程 DRAM 的开发，三大内存原厂向 10nm 关口更近了一步。