复旦大学今日晚间官宣，复旦集成电路领域再获关键突破。

　　复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型，在理论上预测了超注入现象，打破了现有存储速度的理论极限，研制“破晓”皮秒闪存器件，其擦写速度可提升至亚 1 纳秒，相当于每秒可执行 25 亿次操作，相关成果以 作为闪存的基本存储单元，浮栅晶体管由源极、漏极和栅极所组成。当电子从源极顺着沟道“跑”向漏极的过程中，按下栅极这一“开关”，电子便可被拽入浮栅存储层，实现信息存储。

　　“从存储器件的底层理论机制出发，团队提出了一条全新的提速思路 —— 通过结合二维狄拉克能带结构与弹道输运特性，调制二维沟道的高斯长度，从而实现沟道电荷向浮栅存储层的超注入。通过构建准二维泊松模型，团队成功在理论上预测了超注入现象，据此研制的皮秒闪存器件的擦写速度闯入这是迄今为止世界上复旦大学表示，在该技术基础上，团队给技术取名为附论文链接：