三星电子抢建 10nm 第七代 DRAM 测试线,力图重夺
三星准备同步推进第七代 DRAM 测试线的建设与第六代 DRAM 的量产准备,计划从 2025 年初开始在平泽第四工厂引进设备,生产 10 纳米级第六代 DRAM,并力争在明年 5 月获得内部量产批准。
在人才配备方面,三星为顺利推进 1c DRAM 的量产,还将从华城工厂派遣 DRAM 相关人员到平泽工厂。
该媒体解读认为,三星此举是一项积极的投资策略,在经历了 HBM 市场份额被 SK 海力士超越,以及 10 纳米级第六代 DRAM 开发速度落后的双重打击后,三星正全力以赴,希望通过提前布局下一代产品,在明年重夺市场“霸主”地位。