SK 海力士今天发布博文，宣布将出席 8 月 6 日至 8 日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会 FMS 2024，

　　未来存储器和存储峰会简介

　　前身是主要面向 NAND 供应商的闪存峰会，在人工智能技术日益受到关注的背景下，今年重新命名为未来存储器和存储峰会，以邀请 DRAM 和存储供应商等更多参与者。

　　新产品

　　SK 海力士去年在 FMS 活动中宣布开发出业界最高的 321 层 NAND，今年也将展示诸多 AI 领域的新产品，包括 12 层 HBM3E和 321-high NAND。附上 SK海力士即将展示的新产品如下：

　　从左上开始，顺时针依次为 321 层 NAND 闪存、ZUFS 4.0、PS1010 和 PCB01

　　从左上开始，顺时针依次为 LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0 和 GDDR6-AiM演讲

　　SK hynix HBM 工艺集成主管 Unoh Kwon 和 SSD PMO 主管 Chunsung Kim 将在活动开幕式上发表题为两位高管将分别介绍公司的 DRAM 和 NAND 产品组合，以及为实现人工智能而优化的人工智能内存解决方案。