SK 海力士正向东京电子发送测试晶圆，以测试后者的低温蚀刻设备，有望在未来 NAND 闪存生产中导入。

　　新设备可在 33 分钟内蚀刻 10 微米，比现有设备快 3 倍以上；

　　同时东京电子的低温蚀刻设备采用氟化氢气体，相较传统系统使用的氟碳化物气体拥有较低的温室效应，更为环保。

　　▲ 低温蚀刻效果。SK 海力士官宣的最新一代 321 层 NAND 闪存采用了三堆栈结构。业内人士预计，如果东京电子的低温蚀刻设备效果良好，未来 400 + 层闪存产品有望将堆栈数量降低到 2 乃至 1。

　　在另一方面，SK 海力士的主要竞争对手之一三星电子则是导入该工具的演示版本对低温蚀刻进行评估。