SK 海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高 321 层 1TbTLC4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。

　　SK 海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧AI 的稳定运行，所搭载的 NAND 闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。依托这款对 AI 工作负载优化的 UFS 4.1 产品，公司将进一步巩固其在旗舰智能手机市场中的存储器技术领导地位。”

　　据介绍，随着端侧 AI 的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗特性已成为移动设备的行业标准。

　　顺应这一趋势，公司此次开发的新品较上一代基于 238 层 NAND 闪存的产品查询获悉，该产品支持第四代 UFS 产品的顺序读取峰值，该产品提供 512GB 和 1TB 两种容量规格。公司计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程，