三星电子被控在微处理器和内存制造领域侵犯哈

2024-08-07 11:33:24

  哈佛大学本周一向美国得克萨斯州东区地方法院提交起诉书,指控三星电子在微处理器和内存制造领域侵犯了两项专利。

  从起诉书中哈佛大学化学系教授 Roy G. Gordon 等是这两项专利的发明人,

  ▲三星在美办公设施

  这两项专利涉及含钴、钨薄膜的沉积方法,分别名为“用于铜互连的氮化钴层及其形成方法”与“氮化钨的气相沉积”,哈佛大学称“这种薄膜哈佛大学认为三星电子在而三星在哈佛大学在起诉书中

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