三星电子被控在微处理器和内存制造领域侵犯哈
哈佛大学本周一向美国得克萨斯州东区地方法院提交起诉书,指控三星电子在微处理器和内存制造领域侵犯了两项专利。
从起诉书中哈佛大学化学系教授 Roy G. Gordon 等是这两项专利的发明人,
▲三星在美办公设施
这两项专利涉及含钴、钨薄膜的沉积方法,分别名为“用于铜互连的氮化钴层及其形成方法”与“氮化钨的气相沉积”,哈佛大学称“这种薄膜哈佛大学认为三星电子在而三星在哈佛大学在起诉书中
哈佛大学本周一向美国得克萨斯州东区地方法院提交起诉书,指控三星电子在微处理器和内存制造领域侵犯了两项专利。
从起诉书中哈佛大学化学系教授 Roy G. Gordon 等是这两项专利的发明人,
▲三星在美办公设施
这两项专利涉及含钴、钨薄膜的沉积方法,分别名为“用于铜互连的氮化钴层及其形成方法”与“氮化钨的气相沉积”,哈佛大学称“这种薄膜哈佛大学认为三星电子在而三星在哈佛大学在起诉书中