韩媒 ETNews 报道称，SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发，计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备，SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品，并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。

　　▲ SK 海力士 321 层 NAND 闪存

　　按照韩媒的说法，SK 海力士韩媒在报道中还提到，SK 海力士新的 400+ 层堆叠 NAND 闪存将SK 海力士目前的 4D NAND 采用了 PUC技术，将外围控制电路放置在存储单元的下方，较更传统的外围电路侧置设计可减少芯片占用空间。

　　而 SK 海力士未来的 NAND 将在两块晶圆上分别制造外围电路和存储单元，此后换句话说，SK 海力士也将采用报道指出，SK 海力士已在着手构建 NAND 混合键合所需的原材料与设备供应链，正对混合键合技术与材料进行新的审查；此外