铠侠目标 2031 年推出 1000 层 NAND 闪存,重组存储
铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存,并对存储级内存业务进行了重组。
铠侠之前在 SCM 领域主要聚焦 XL-FLASH 闪存方案。该企业于 2022 年推出了可支持 MLC 模式的第二代 XL-FLASH。
铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存,并对存储级内存业务进行了重组。
铠侠之前在 SCM 领域主要聚焦 XL-FLASH 闪存方案。该企业于 2022 年推出了可支持 MLC 模式的第二代 XL-FLASH。