台积电、英特尔、三星电子的 2nm 代工节点良率分别约为 65%、55%、40%，三星在提升良率同时，将进一步扩展部署全环绕栅极晶体管方案，第二代工艺已基本完成设计，目前正研究名为“SF2P+”第三代工艺，并计划在未来 2 年内实施。

　　尽管道路艰难，但最新报告显示，三星正在逐步改进其下一代光刻技术，预计该节点制造的芯片在未来四年内将会有巨大需求。