SK 海力士研究员 Seo Jae-Wook 在韩国水原当地时间 12 日举行的学术会议上表示，未来考虑转向 4F2 或 3D 结构的 DRAM 内存，以降低成本压力。

　　Seo Jae-Wook 表示：

　　从 1c DRAM 开始，EUV 光刻成本迅速增加，现在是时候考虑以这种方式制造 DRAM 是否有利可图了。 也在考虑是否应该从下一代产品开始转向 VG或 3D DRAM。

　　Seo Jae-Wook 此处提到的

　　▲ 三星电子此前展示的 VCT DRAM 结构

　　4F2 DRAM 的源极、栅极、漏极和电容从下到上放置，字线和位线分别连接到栅极和源极，相较现有的 6F2DRAM 可减少约 30% 芯片面积。Seo Jae-Wook 三星电子、SK 海力士、美光三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。而从下代 1d nm 节点开始，先进内存将使用 EUV 多重曝光，大幅提升生产流程中 EUV 光刻环节的成本。

　　Seo Jae-Wook 表示，利用 VG 或 3D DRAM 结构，其中