为推动下一代半导体量产,日本拟立法为 2 纳米
日本政府将于 6 月下旬敲定的经济财政运营及改革基本方针草案现已公开。为了推动下一代半导体的量产,当地政府纳入了完善相关法律的方针。草案中提到,为了实现下一代半导体的量产,将研究“必要的法制上的”措施。
Rapidus 美国子公司 Rapidus Design Solutions 负责人亨利・理查德表示,Rapidus 目前对在其 2nm 节点使用的 0.33NA EUV 光刻解决方案“非常满意”。除计划于 2025 年试产、2027 年量产的 2nm 工艺外,Rapidus 内部已对下一阶段 1.4nm 进行了规划。