江波龙公司宣布，首颗自研 32Gb2D MLC NAND Flash 于近日问世。该产品采用 BGA132 封装，支持 Toggle DDR 模式，数据访问带宽可达 400MB/s，将有望应用于 eMMC、SSD 等产品上。

　　注：MLC 是指 Multi-Level Cell 多层单元闪存，每一个单元可以存储两位数据，相比 SLC 单层单元闪存的密度要更高一些，不过速度更低。

　　江波龙表示，公司目前已具备 SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash 产品的设计能力，并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的 Flash 产品系列。

　　江波龙还宣布已构建完整的存储芯片垂直整合能力，包括芯片设计、产品化和生产测试。