三星宣布已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb三比特单元第8代V-NAND。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5。0接口的三星第8代V-NAND，其输入和输出速度高达2。4 Gbps，相比上一代提升了1。2倍，这可以满足PCIe 4。0和更高版本PCIe 5。0的性能要求。