每一套光刻机的成本约为 1。4 亿美元。

　　 他们并没有进行限制，米勒补充道，该公司的新型光刻机将支持在硅晶圆上进行更具体的蚀刻。

　　 第一台高 NA 机器仍在开发中，预计从 2023 年开始提供先行体验，以便芯片制造商可以更快地开始验证并学会如何使用。然后，客户可以在 2024 年和 2025 年将以此进行自己的研发工作。从 2025 年开始，它们很可能用于大批量制造。

　　 今年 7 月，英特尔首席执行官 Pat Gelsinger 表示，该公司有望成为 ASML 高 NA 机器的第一个接收者。

　　 我敢打赌，他为这个首发付出了很多利益，因为他肯定不是唯一一个想先拿到这台机器的人，米勒说。

　　 英特尔销售和营销副总裁 Maurits Tichelman 对此表示：高 NA EUV 是 EUV 路线图上的下一个重大技术变革，我们已准备好接收业内首款量产的高 NA EUV 光刻机，并争取在 2025 年推出新产品不过他拒绝透露英特尔订购了多少台新机器。

　　 Tichelman 说，新的高 NA EUV 工具从 0。33 光圈镜头转变为更细腻的 0。55 光圈，从而实现了更高分辨率的操作。

　　 据悉，更高的孔径可使得机器内部产生更宽的 EUV 光束，然后撞击晶圆时产生的强度就越大，从而提高蚀刻线条的精确度。这反过来又可以实现更精细的形状和更小的间距，从而增加晶体管密度。

　　 Gartner 半导体分析师 Alan Priestley 称，ASML 的新机器将允许芯片制造商制造 3nm 以下的芯片。目前世界上最先进的芯片都在 3nm 及以上。

　　 Priestley 补充说，高 NA 机器将耗资约 3 亿美元，是现有 EUV 机器的两倍，并且它们还需要更复杂的新镜头技术。

　　 芯片是如何制造的

　　 芯片通常是由一个晶圆片上的 100-150 个硅层组成，只有最复杂的设计才会需要 EUV 机器，目前大部分芯片都可以用 DUV 机器制造。当然，ASML 也制造其他工具。

　　 正如上面提到的，这是全球顶尖供应链合作的产物，往往每一台 EUV 机器都需要数年时间才能完成，而 ASML 一年只能出货这么多。从财务数据来看，它去年仅售出了 31 部，而且这么多年总共只生产了 100 部左右。

　　 埃森哲 全球半导体主管 Syed Alam 表示！与传统的 EUV 机器相比，High NA 机器可提供更大的透镜，也就能够刻出更精细的图案，从而能够高效地量产更强的芯片。

　　 他透露！芯片制造商不得不依赖双重或三重模式，这非常耗时使用高 NA EUV 机器，他们能够在一层上直接完成这些功能，从而实现优异的周期和工艺灵活性。

　　 Alam 表示，芯片制造商也因此必须在更好的性能和更高的成本之间进行权衡这对于高分辨率的 EUV 机器来说尤其如此，因为大镜头也就意味着更高的采购成本和维护成本。

　　 在上月的 ITF 大会上，半导体行业大脑 imec公布的蓝图显示，2025 年后晶体管进入埃米尺度，其中 2025 对应 A14，2027 年为 A10、2029 年为 A7。

　　 当时 imec 就表示，除了新晶体管结构、2D 材料，还有很关键的一环就是 EUV 光刻机。其透露，0。55NA 的下代 EUV 光刻机一号试做机会在 2023 年由 ASML 提供给 imec，2026 年量产。

　　 据悉，相较于当前 0。33NA 的 EUV 光刻机，0。55NA 有了革命性进步，它能允许蚀刻更高分辨率的图案。