铠侠今日宣布出样基于第九代 BiCS FLASH 3D 闪存技术的 512Gb TLC 芯片，并计划于 2025 财年内实现该型号的量产。

　　这款 BiCS9 TLC 是铠侠双轨 NAND 制程战略的关键一步：通过导入 CBA 技术相较于此前的 162 层 BiCS6 512Gb TLC，新品 BiCS9 512Gb TLC 实现了 12% 的读取性能提升、铠侠表示，其 BiCS9 512Gb TLC