据三星电子 2024 年异构集成路线图，该企业正积极研发一款名为 LP Wide I/O的新型移动内存。

　　值得注意的是，三星电子以往曾提到过一种名称与其相近的 LLW 内存，尚不能确认两者关系。

　　LP WideI/O 内存将于 2025 年一季度实现技术就绪，路线图显示，LP WideI/O内存单封装位宽将达到现有 HBM 内存的一半 —— 即 作为对比，目前的 LPDDR5 内存大多数是单封装四通道共 64bit，未来的 LPDDR6 内存也仅有 96bit。

　　更大的位宽意味着三星电子的 LP Wide I/O 内存可在相对较小的移动内存芯片上实现 512bit 位宽，势必需要堆叠 DRAM 芯片，但 HBM 采用的 TSV 硅通孔方式也不适合移动内存各层 DRAM 间的互联。

　　因此三星电子将在 LP Wide I/O 内存上采用一项名为 VCS 的全新垂直互联技术。

　　同 SK 海力士的 VFO 技术类似，三星电子的 VCS 技术也是将扇出封装和垂直通道结合在一起。

　　三星电子表示，VCS 先进封装技术相较 VWB 垂直引线键合技术，三星电子宣称其 VCS 技术的生产效率是前者 9 倍。

　　三星电子在中还提到，其