注：此处逻辑芯片指 Logic Die，SK 海力士称基础裸片 Base Die，美光称接口芯片 Interface Die。结构参见美光下层层堆叠的 DRAM Die 内存芯片为 HBM 内存提供容量；而 传统上，存储厂商通常自行采用存储半导体工艺生产 HBM 内存的 Logic Die，流程更为简便。但来到 HBM4 世代后，Logic Die 需要支持更多的信号引脚、更大的数据带宽，甚至还要承载部分客户定制功能。

　　因此存储厂商转而选择与逻辑晶圆厂合作，此前就有消息传出，台积电将采用 7nm 工艺为 SK 海力士代工 HBM4 的基础裸片。

　　▲三星电子目前最先进的 HBM3E 12H 内存

　　三星电子存储部门此番采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片，一方面可提高 HBM4 内存综合能效，提升产品竞争力；另一方面，更为精细的 4nm 工艺也为各种定制功能的导入留出了更多空间。

　　不仅如此，此举也可为兄弟单位 LSI 部门提供一份规模不小的订单。

　　对于三星电子存储部门来说，