0.75 NA!Hyper-NA EUV 首现 ASML 路线图:2030 年推出
全球研发机构 imec 表示阿斯麦计划 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻机,目前仍处于开发的“早期阶段”。
阿斯麦前总裁马丁・凡・登・布林克于今年 5 月,在比利时安特卫普召开、由 imec 举办 ITF World 活动中,表示:“从长远来看,我们需要改进光刻系统,因此必须要升级 Hyper-NA。与此同时,High-NA 将数值孔径 从早期 EUV 工具的 0.33 NA 提高到 0.55 NA。而根据 van den Brink 在 imec 活动上展示的Imec 高级图案设计项目总监 Kurt Ronse 表示,Ronse 表示现阶段想要突破 0.55 NA 面临诸多挑战,其中问题之一是Ronse 表示:“NA 一旦超过 0.55,由于偏振方向基本上会抵消光线,因此会破坏对比度”。
解决方案之一就是在光刻设备中加入偏振片,而这又会带来新的问题,偏振片会阻挡光线,降低能效,增加生产成本。
Hyper-NA 的另一个挑战是Ronse 表示:“在 0.55 NA 的情况下,我们就必须降低电阻。有了 Hyper-NA,情况会更糟。这将给蚀刻选择性带来更多挑战”。