全球首发全栅极场效应晶体管!三星将量产3nm工艺 功耗比暴降50%

2022-06-30 06:07:00

  称,三星将在未来几天宣布开始批量制造,在生产世界上最先进的芯片的过程中击败竞争对手台积电。

  显示,三星正准备宣布开始3纳米的批量制造,可能最快在本周。这将是对竞争对手台积电的一次重大挑战,这也意味着这家韩国公司将成为第一个使用全栅极场效应晶体管的公司。

  三星称其实施的3纳米GAAFET晶体管为多桥通道场效应晶体管,但这只是晶体管的一个技术名称,它背后的优势才是关键:功率减少50%,占用的空间减少45%,并能在极低电压下更稳定地运行。

  有传言称,三星也已经获得了新工艺节点的第一批客户,该公司是否能够避免重蹈8nm和4nm的覆辙将是值得关注的。无论如何,代工业务是三星底线的一个强有力的贡献者,其一半以上的营业利润--约67亿美元和变化--来自芯片部门。

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