美国 GaN 技术厂商宜普公司于 2023 年向加州地区法院和 ITC 提起诉讼，声称国产 GaN 芯片龙头英诺赛科侵犯了 EPC 的 4 项专利，并寻求禁售与赔偿。

　　今日，英诺赛科宣布其在与美国 EPC 发起的专利案中取得决定性胜利：2025 年 3 月 18 日, 美国专利局对 EPC 涉案专利 作出最终裁定，

　　▲英诺赛科氮化镓产品

　　2023 年 5 月，EPC 在 ITC 对英诺赛科发起专利诉讼调查，宣称英诺赛科侵犯了 EPC 的 US’294 号专利和其他三项美国专利。英诺赛科坚决反对 ITC 有关 US’294 号专利有效及的裁决，并且已于 2025 年 1 月 31 日向美国联邦上诉法院提起上诉。英诺赛科认为 ITC 关于 US’294 号专利的判决有误，现在，美国专利局关于 US’294 号专利的无效裁定证实了 ITC 先前对该专利的判决存在错误判断，注：英诺赛科成立于 2015 年 12 月，是一家总部位于珠海的氮化镓类器件制造商，产品包括高低压氮化镓电源 IC、功率半导体等。2024 年底，英诺赛科在香港联合交易所主板挂牌上市，标志着国内氮化镓半导体第一股诞生。