泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间本月 14 日宣布，其干式光刻胶技术成功通过 imec 认证，可直接在逻辑半导体后道工艺中实现 28nm 间距的直接图案化，目前在先进制程领域常用的光刻胶为基于化学放大原理的湿式旋涂光刻胶，而泛林宣称其干式光刻胶具有更优秀的光子捕获能力，同时光刻胶层的厚度也更容易调控。在具体表现方面，这一新型光刻胶

　　▲ 光刻流程，从涂胶到制得图案

　　泛林干式光刻胶在后道工艺中的图案化能力目前已在 0.33 NA EUV 光刻机上得到了验证，未来还可扩展至逐步投入使用的 0.55 NA EUV 光刻平台上。