三星电子的此类产品叫做LP Wide I/O 内存，SK 海力士则将这方面技术称为 VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线，即三星电子的 LP Wide I/O 内存位宽达 512bit，是现有 LPDDR 内存的 8 倍，较传统引线 倍的 I/O 带宽。该内存将于 2025 年一季度技术就绪，2025 下半年至 2026 年中量产就绪。

　　而 SK 海力士的 VFO 技术验证样品将导线长度缩短至传统内存的不到 1/4，能效也提升了 4.9%。虽然该方案带来了额外 1.4% 的散热量，但封装厚度减少了 27%。

　　报道指出，关于这些堆叠式移动内存如何同处理器集成尚无定论，讨论中的方案包括类似 HBM 的 2.5D 封装或 3D 垂直堆叠。

　　半导体封装行业人士表示，移动处理器如何设计与布置将影响堆叠式移动内存的配置与连接方式，这意味着