三星电子考虑在明年下半年推出的 HBM4 内存上使用 1c nm DRAM 裸片，以更先进的 DRAM 制程提升 HBM4 产品的能效竞争力，追赶 HBM 领域领先者 SK 海力士。

　　考虑到 HBM 内存对 DRAM 晶圆的消耗量远高于传统内存，平泽 P4 建设 1c nm DRAM 产线也是在