三星电子内存部门新业务规划团队负责人Choi Jang Seok 今日表示，三星将在今年底开始量产符合 CXL 2.0 协议的256GB CMM-D 2.0 模块。

　　该内存模组将配备较为成熟的 1y nm工艺 DRAM 内存颗粒，

　　▲三星电子 CMM-D 模组

　　除 CMM-D 外，三星电子还规划了多个类型的 CXL 存储产品，包含配备多个 CMM-D 模块的 CMM-B 内存盒模组、同时搭载 DRAM 内存和 NAND 闪存颗粒的 CMM-H 混合存储模组。

　　ChoiJang Seok 提到三星电子正在内部研究另一类名为 CMM-DC 产品，其在 CMM-D 的基础上还展望未来，ChoiJang Seok 称：“当 CXL 3.1 和池化技术得到支持后，