工商时报今天报道称，在 SK 海力士、三星、美光三巨头的大力推动下，2025 年高带宽内存芯片每月总产能为 54 万颗，高带宽内存是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合，与高性能图形处理器、网络交换及转发设备、高性能数据中心的 AI 特殊应用集成电路结合使用，可以大幅减少半导体的功率和面积。

　　HBM 是 AI 加速卡成本占比最高的零件，有媒体拆解英伟达 H100 芯片，物料成本约为 3000 美元，其中 SK 海力士供应的 HBM 成本就高达 2000 美元，占比 66%。

　　三大巨头现状

　　SK 海力士和美光目前仍是 HBM 的主要供应商，两家公司都采用 1beta 纳米工艺，并已向英伟达出货。

　　集邦咨询认为采用 1Alpha nm 工艺的三星预计将在第二季度完成认证，并于今年年中开始供货。

　　三大巨头扩产计划

　　三星正在逐步升级其在韩国的平泽工厂，以便用于 DDR5 和 HBM。

　　同时，华城工厂，并建置全新无尘室。