法国 CEA-Leti 研究所正式宣布牵头建设代号 FAMES 的 FD-SOI 中试线 亿欧元。

　　CEA-Leti 研究所是法国原子能和替代能源委员会下属机构，也FD-SOI 是一项平面 COMS 技术，采用了与先进制程领域流行的 FinFET 三维晶体管不同的技术路线：

　　FD-SOI 工艺在基底硅的顶部掩埋一层超薄氧化物绝缘体，降低了源极和漏极之间的寄生电容，并有效地限制了从源极流向漏极的电子，显著降低了影响性能的漏电流效应。

　　▲FD-SOI 晶体管结构。FAMES 是欧洲芯片联合企业 Chip JU 指定的四条先进半导体中试线项目之一，其它项目还包括比利时 imec 牵头的 NanoIC 亚 2nm 制程 SoC 中试线等。

　　FAMES FD-SOI 中试线将开发以下五套新技术：

　　多种 eNVM 嵌入式非易失性存储，包含 OxRAM、FeRAM、MRAM 和 FeFET；

　　开关、滤波器、电容器等射频元件；

　　异构集成和顺序集成这两种 3D 集成工艺；

　　用于开发 PMIC 电路上 DC-DC 转换器的小型电感器。

　　这五套技术将为低功耗 MCU、MPU、尖端 AI / ML 设备、射频设备、5G / 6G 芯片、车用芯片、智能传感器等创造市场机遇。

　　CEA-Leti 首席技术官让-勒内-莱克佩斯 表示：

　　通过整合和结合一系列尖端技术，FAMES 中试线将为颠覆性的 SoC 架构打开大门，并为未来芯片提供更智能、更环保和更高效的解决方案。 FAMES 项目将特别关注半导体的可持续发展挑战。

　　CEA-Leti 表示 FAMES FD-SOI 中试线 家“电子系统价值链”企业的支持，合作伙伴将包括比利时 imec，德国弗劳恩霍夫应用促进协会等欧洲多国重要研究机构。

　　▲合作伙伴地图