存储网络行业协会多位专家近日预估，21 世纪 20 年代末将会掀起持久内存变革浪潮，注：持久内存作为一个内存和外存的混合体，其高速持久化的特性在某些磁盘 IO 作为性能瓶颈的场景下是一个破局的解法。

　　SNIA 的 Arthur Sainio、Tom Coughlin 和 Jim Handy 专家表示，以 SK 海力士和美光研制的铪铁电随机存取内存为例，其运行速度已经达到现代 DRAM 的水平，铁电随机存取内存的特点是快速写入周期，但它还有诸多强大的竞争者。这是因为 MRAM、FERAM 和 ReRAM 等多种新型存储器技术都在竞相取代 SRAM、NOR 闪存和 DRAM 等现有标准。

　　专家表示 MRAM 与其竞争对手相比具有很大的优势，在可以预见的未来，其读取速度可以媲美 DRAM。

　　自旋轨道力矩和电压调控磁各向异性磁随机存储器等新技术也正在缩短 MRAM 的写入延迟时间，使其成为有朝一日可能取代 DRAM 的主要候选产品之一。