英特尔此前给出了一个相当激进的工艺技术路线A 制程上实现大批量生产，并在可能的情况下为 18A 平台引入高 NA 极端紫外线光刻机。

　　 与三星和台积电相比，英特尔的生产节点计划要激进得多。三星和台积电都计划在 2025 年开始生产 2 纳米级 芯片，但这是初步投产的时间。

　　 在半导体产能方面，英特尔的计划也丝毫没有让步。该公司正在亚利桑那州钱德勒附近的基地建设 20A 的 Fab 52 和 Fab 62 工厂；在俄亥俄州哥伦布附近的基地建造头两个 18A/ 20A 工厂；建造价值 35 亿美元的先进封装设备；在爱尔兰雷克利普附近的工厂完成了一个新的 Intel 4 厂；在德国马格德堡附近建造了一座全新的工厂。

　　 总体而言，英特尔计划在未来几年投资约 1000 亿美元建设新的半导体制造设施。

　　 自从推出 IFS 以来，我们一直与代工客户进行接触，很明显，这些公司中的许多公司认为需要一个更具弹性和地理平衡的半导体供应链，Thakur 说道。