重庆万国半导体科技有限公司 已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的 IGBT 元件。目前该 IGBT 元件通过用户试用，预计今年年内实现量产。

　　 据悉，重庆万国在今年年初启动 IGBT 元件项目研发，该元件具有饱和压降低，开关损耗小，电流短路能力强等特点，可用于消费电器与工业电器的动能转换。

　　 重庆万国市场资深经理李仁果介绍，在过去 12 个月的出货量中，重庆万国做到每 10 亿颗芯片中，不良率只有 3 颗。

　　 目前，重庆万国已启动上市计划，并已引入京东方等行业头部企业或专业投资机构作为战略投资人。下一步，重庆万国将进一步加快半导体芯片及半导体芯片封装的设计、制造、销售，不断推出创新产品。

　　 百科知识

　　 IGBT ，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

　　 IGBT 是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的CPU，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

　　 IGBT 模块是由 IGBT与 FWD通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS 不间断电源等设备上。

　　 IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的 IGBT 也指 IGBT 模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。