韩媒 ETNews 当地时间昨日报道称，三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶 技术，将应用于到即将正式推出的第 6 代 10 纳米级工艺 中。

　　消息指三星电子已完成了干式光刻胶涂覆、显影等工序所需的多台泛林集团 所需设备。

　　不同于使用溶液旋涂、需要溶剂冲洗的传统湿式光刻胶，干式光刻胶直接沉积到晶圆表面，这三星电子计划将 1c nm DRAM 应用在其 HBM4 产品中，干式光刻胶对图案质量的提升有望成为提高 HBM4 堆栈信号完整性与可靠性的物理起点。

　　泛林集团今年 1 月 29 日已宣布其干式光刻胶已得到一家领先存储器制造商在最先进 DRAM 工艺上的导入。