三星 NRD-K 研发综合体进机,将导入 ASML High NA E
三星电子韩国当地时间本月 18 日举行了位于器兴园区的 NRD-K 新半导体研发综合体的进机仪式,标志着这一 2022 年动工的研发中心开始设备安装。
NRD-K 半导体研发综合体占地面积 10.9 万平方米,将成为NRD-K 还将包含一条研发专用线 年中投入使用。
▲NRD-K 工地。NRD-K综合体将三星 DS 部负责人全永铉在仪式上表示:
通过 NRD-K,我们将建立从基础研究到量产的下一代半导体技术的良性循环体系,从而大幅提高开发速度。 我们将从三星电子半导体 50 年历史的起点器兴出发,为实现新的飞跃奠定基础,并创造新的百年未来。
▲ 正在演讲的全永铉