韩媒 ZDNET Korea 昨日报道称，三星电子内部已于三季度决定调整平泽 P4 制造综合体一期的产能分配，这也可从该生产线的内部代号名称更改中看出来：该产线F，尾部的 F 即指 Flash 闪存；而现名是 P4H，H 是 Hybrid 的简写，显示产线不只支持一个大类的半导体工艺。

　　▲ 三星平泽园区

　　平泽 P4一期现已部分进驻 NAND 闪存生产设备，三星电子目前计划到年底将该产线 NAND 生产能力提升至每月 1 万片晶圆，不过由于市场的不确定性，而在 DRAM 生产部分，平泽 P4一期未来有望具备 3~4 万片晶圆的月产能，工艺方面则是引入三星目前最为先进的 1a、1b nm，以应对竞争对手的产能扩张，并在三星内部其它 DRAM 产线工艺升级之时保证供应充足。

　　三星电子平泽 P4 制造综合体总共包含四期生产线，其中三期 DRAM 产线即将开建，二期 Foundry 代工产线则暂缓。