三星电子今日宣布，三星首款 1 太比特四层单元第九代 V-NAND 已正式开始量产，而 1Tb TLC 产品已于今年 4 月开始量产。

　　据介绍，三星 QLC 第九代 V-NAND 实现了多项技术突破，汇总如下：

　　通道孔蚀刻技术，能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在 TCL 第九代 V-NAND 中积累的技术经验，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代 QLC V-NAND 提升约 86%。

　　预设模具技术，能够调整控制存储单元的字线间距，确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致；采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约 20%，增强可靠性。

　　预测程序技术，能够预测并控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作，让三星 QLC 第九代 V-NAND 的写入性能翻倍，I/O 速度提升 60%。

　　低功耗设计技术，使数据读取功耗约分别下降了约 30% 和 50%。该技术降低了驱动 NAND 存储单元所需的电压，能够仅感测必要的位线，从而尽可能减少功耗。

　　此外，三星还表示将扩大 QLC 第九代 V-NAND 的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存、个人电脑和服务器 SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。