3D NAND 在 2014 年只有 24 层，到 2022 年达到 238 层，8 年间增长了 10 倍。而铠侠目标以平均每年 1.33 倍的速度增长，到 2027 年实现 1000 层堆叠。

　　三星在上个月表示，计划 2030 年之前推出超过 1000 层的先进 NAND 闪存芯片，其中铪基薄膜铁电将成为这项成就的关键。

　　在摘要部分中写到，在金属带工程栅极中间层、铁电开关、沟道中间层和硅 FeFET 架构中，使用 FE 开关相互作用，来显著提高性能，表明 hafnia FE 成为扩展 3D VNAND 技术发展的关键推动力。

　　在 3D NAND 闪存的层数挑战上，提高 3D NAND 芯片的密度不仅仅是在芯片上堆叠更多层，因为每层的边缘都需要暴露以进行字线电气连接。这为芯片提供了阶梯状轮廓，随着层数的增加，阶梯所需的芯片面积也会增加。

　　铠侠雄心勃勃地计划到 2027 年实现 1000 层技术，这是迄今为止所有制造商宣布的最高层数。然而，要达到这一里程碑，就必须从 TLC过渡到 QLC，甚至可能过渡到 PLC。其中涉及的技术挑战是巨大的，铠侠能否在 2027 年之前实现这一市场里程碑还有待观察。