能效优异,消息称美光在 HBM 内存领域迅速成为韩
其单堆栈容量可达 36GB 的 12Hi HBM3E 内存已于 3 月初完成采样,计划 2025 年实现大规模量产。
展望更远的 HBM4 世代,韩媒称美光计划在 2025 下半年实现 HBM4 内存的开发,HBM4E 的开发完成则落在 2028 年。
其单堆栈容量可达 36GB 的 12Hi HBM3E 内存已于 3 月初完成采样,计划 2025 年实现大规模量产。
展望更远的 HBM4 世代,韩媒称美光计划在 2025 下半年实现 HBM4 内存的开发,HBM4E 的开发完成则落在 2028 年。