据 TrendForce 集邦咨询研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，产能提升将集中在今年下半年，预计 1alpha nm以上投片到年底将占 DRAM 总投片比重约 40%。以各家 TSV 产能来看，以 HBM 最新发展进度来看，今年

　　三星现有厂房 2024 年底产能大致满载，新厂房 P4L 规划于 2025 年完工，同时 Line15 厂区将进行制程转换，由 1Ynm 转换至 1beta nm 以上。

　　SK 海力士明年预计扩大 M16 产能，M15X 同样也规划于 2025 年完工，并于明年底量产。

　　美光中国台湾厂区将于明年恢复至满载，后续产能扩张将以美国厂为主，Boise 厂区预计于 2025 年完工并陆续移机，计划 2026 年量产。

　　尽管三大原厂的新厂将于 2025 年完工，但部分厂房后续的量产时间尚未有明确规划，需依赖 2024 年的获利，才得以持续扩大规模。

　　除此之外，由于英伟达 GB200 将于 2025 年大量出货，其规格为 HBM3e 192/384GB，预计 HBM 产出将接近翻倍，紧接着三大原厂将开始研发 HBM4，如果投资没有明显扩大，因各家产能规划都以 HBM 优先，在产能排挤的效应下，