台积电增加了 2024 年全年的 CoWoS 产能需求，预计到年底月产能将接近 4 万片，相比 2023 年的总产能增长超过 150%。2025 年的总产能有可能增长近一倍。

　　不过英伟达发布的 B100 和 B200 芯片，中间层面积将比以前更大，意味着 12 英寸晶圆切割出来的芯片数量减少，导致 CoWoS 的产能无法满足 GPU 需求。

　　HBM

　　业内人士表示 HBM 也是一大难题，采用 EUV 层数开始逐步增加，以 HBM 市占率第一的 SK 海力士为例，该公司于 1α 生产时应用单层 EUV，今年开始转向 1β，并有可能将 EUV 应用提升 3～4 倍。

　　除技术难度提升外，随着 HBM 历次迭代，HBM 中的 DRAM 数量也同步提升，堆叠于 HBM2 中的 DRAM 数量为 4～8 个，HBM3／3E 则增加到 8～12 个，HBM4 中堆叠的 DRAM 数量将增加到 16 个。