原子能信息实验室近日发布预告，表示将出席 1 月 31 日开幕的 2024 年美国西部光电博览会，发表两篇关于其 microLED 技术进展的论文，介绍如何制造数据速率密度更高的 LED 矩阵，以及如何减少小尺寸 LED 的效率损失。

　　在LED 阵列使用 InGaN / GaN 微型发光二极管，可以实现大规模并行传输，从而达到高数据速率密度。

　　原子能信息实验室还研发出一种将 GaN LED 矩阵集成到 CMOS ASIC 上的专利工艺，通过将微型 LED 直接粘接在 200 毫米硅晶片上，并使用氮化镓基器件作为发射器和快速光电探测器，优化了微型 LED 的集成度。

　　另一项论文名为该机构表示：“我们通过实验证明，可以通过减小 InGaN 量子阱的厚度来减少扩散长度。此外，我们还展示了在大型量子阱中观察到的与功率相关的、意想不到的扩散行为，这可能有助于我们理解发射器的物理学原理。”

　　附上论文参考地址