佳能的纳米压印光刻技术能够产生至少 5 纳米工艺尺寸的芯片，在目前由 ASML 主导的先进半导体制造设备市场，佳能的这项技术可以不断缩小和 ASML 的差距。

　　御手洗富士夫表示：“佳能与日本印刷综合企业大日本印刷株式会社以及存储芯片制造商铠侠控股合作研究纳米压印技术已有近十年的时间。

　　与通过反射光工作的极紫外光刻技术不同，佳能研究的纳米压印技术是将电路图案直接印在晶圆上，从而制造出据称几何形状与最先进节点相当的芯片，但速度要慢得多。

　　这种新设备有望让芯片制造商降低对芯片代工厂的依赖，同时也让台积电和三星电子等芯片代工厂更有可能批量生产芯片。佳能表示，这种机器所需功率只有 EUV 同类产品的十分之一。

　　佳能此前一直专注于制造普通芯片，2014 年开始大力投资纳米印记技术，收购了主攻纳米压印技术的分子压模公司 。作为台积电的供应商之一，佳能正在东京北部的宇都宫市建设 20 年来的第一家光刻设备新工厂，将于 2025 年投产。

　　岩本和德在接受日经时表示，佳能目前收到了来自半导体制造商、大学和研究机构的大量询问，客户预估该技术可以作为 EUV 的替代品，