采用磁控溅射的TCO镀膜方法，通过迈为研发的低铟含量解决方案，单片铟的使用量比常规的异质结电池降低了50%，如果叠加设备降铟的方案再降低40%，可以将铟用量降低到常规水平的30%；而铜电镀工艺省去了昂贵的银浆成本，这两项工艺的结合使异质结电池的制造成本降至新低，同时确保了优异的光电转化效率。