光刻机的制造是很难的，光靠一个国家是没有办法制造的，需要联合其他国家的技术，加上中国的科研起步比较晚，所以制造花了很多心思。 光刻机板块中3.7元股票是哪一个

　　 光刻机板块的3.7万股票也是有的，它是在其中一只就是比较多的那只，所以说三点。 中国的光刻机与刻蚀机已经达到世界先进水平，为什么有些人还说中国芯片业依旧前路艰辛

　　据媒体报道，2018年12月，中微半导体设备（上海）有限公司自主研制的5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5纳米制程生产线纳米，相当于头发丝直径（约为0.1毫米）的二万分之一，将成为集成电路芯片上的最小线年量产。

　　▲半导体器件工艺制程从14纳米微缩到5纳，等离子蚀刻步骤会增加三倍

　　刻蚀机是芯片制造的关键设备之一，曾一度是发达国家的出口管制产品。中微半导体联合创始人倪图强表示，中微与科林研发(Lam Research)、应用材料(Applied Materials)、东京威力科创(Tokyo Electron Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies) 4家美日企业，组成了国际第一梯队，为7纳米芯片生产线供应刻蚀机。中微半导体如今通过台积电验证的5纳米刻蚀机，预计能获得比7纳米更大的市场份额。

　　中科院SP超分辨光刻机
 

　　提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国科学院光电技术研究所主导、经过近七年艰苦攻关研制的“超分辨光刻装备”项目。

　　该项目下研制的这台光刻机是“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。这是一种表面等离子体（surfaceplasma，SP）超分辨光刻装备。

　　▲中科院研制成功并通过验收的SP光刻机

　　该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线纳米。结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片......

　　中国的刻蚀机的确是达到了世界先进水平，光刻机还早，而且就算是这两样都世界先进了，不代表中国芯片业的前路就不艰辛了。目前中国的刻蚀机的确领先，5纳米等离子体刻蚀机已经通过台积电验证；但是光刻机就差多了，之前新闻报道中提到的“中科院SP超分辨光刻机”其实最多只能算是一个“原型机”，和ASML的光刻机不能相提并论，也不能用来制造芯片，还需要攻克一系列的技术难题退一步讲，就算是中国的光刻机与刻蚀机都达到世界领先就解决问题了么ASML的EUV光刻机我们已经下单等待交货了，是不是到货以后中国就可以生产7nm甚至是5nm的芯片了不要把问题想简单了，以为芯片也只有光刻机和刻蚀机。芯片制造的技术、经验、工艺以及人才是一个系统性的工程，台积电也不是一天建成的，有了光刻机也不代表我们就能造出最顶尖的芯片。

　　 中国突破光刻机意味着什么

　　光电所微细加工光学技术国家重点实验室研制出来的SP光刻机是世界上第一台单次成像达到22纳米的光刻机，结合多重曝光技术，可以用于制备10纳米以下的信息器件。这不仅是世界上光学光刻的一次重大变革，也将加快推进工业4.0，实现中国制造2025的美好愿景。

　　
长期以来，我国的光刻技术落后于先进国家，成为我国工业现代化进程的一块短板。2006年，科技部提出了光刻技术的中长期规划，希望中科院的国家重点实验室，能找到一条绕开国外技术壁垒，具有自主知识产权的光刻路径。光电所SP光学光刻机就是绕开了传统的193纳米曝光的技术路线，利用长波长光源也可以得到一个突破衍射极限的分辨率的图形，所以在成本上安全性方面上都会有一个很大的提升，是完全具有知识产权的原创性技术。

　　
我以前了解过，光刻机是制造电脑CPU的母机，处于科技领域的最顶层，目前世界上先进光刻机基本被荷兰的ASML公司垄断，CPU芯片制程最先进的是14纳米，不卖中国人，并且卖给中国公司的稍过时的光刻机也有条款不准用于制造像龙心这类自主研发的CPU芯片。美国、日本在这个领域都力不从心，成都太给力了。
 

　　在技术方面，ASML光刻机可以使用波长为13.5纳米的极紫外光(EUV)，实现14纳米、10纳米、和7纳米制程的芯片生产，而通过技术升级，也可以实现9纳米，8纳米，6纳米，5纳米，4纳米乃至3纳米等制程的芯片生产。据悉，台积电购买了ASML的两台NXE 3300B(后来在ASML的帮助下升级到与NXE 3350B相同的技术水平)，三星也从ASML采购EUV设备，NXE 3350B和最新的NXE3400光刻机，英特尔同时也采购了数台NXE 3350B。而且NXE 3350B EUV极紫外光刻机主要被用来进行7nm的相关测试和试产。在今年4月，台积电就已经开始代加工其7nm制程的芯片产品，三星在近期推出8nm制程的产品，而英特尔可能生产10nm工艺的产品。从中可以看出，ASML的EUV光刻机成为了他们能否快速实现更低纳米制程量产计划的基础和关键，不管三星、英特尔、台积电围绕着具体制程工艺如何去竞争，ASML终究是背后最大霸主，最大赢家，因为他们谁都离不开他的EUV光刻机。

　　 中国的光刻机达到世界先进水平，为什么还有人说中国芯片业依旧前路艰辛

　　 中国的光刻机远没有达到世界先进水平！而且制造芯片不仅仅是光刻机这一个难点，从工具，仪器到材料等等，还有许多困难等着我们去克服！ 光刻机是什么意思

　　 光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
Photolithography（光刻） 意思是用光来制作一个图形（工艺）；
在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类：
高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常在十几纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有7000万美金的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的高端光刻机）和日本Canon三大品牌为主。
位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机，形成产品系列初步实现海内外销售。目前正在进行其他各系列产品的研发制作工作。
生产线和研发用的低端光刻机为接近、接触式光刻机，分辨率通常在数微米以上。主要有德国SUSS、美国MYCRO NXQ4006、以及中国品牌。